Frequency effect on electrical and dielectric characteristics of HfO2-interlayered Si-based Schottky barrier diode
Submitted by tugrul on
Üniversitemiz öğretim üyelerinden Prof. Dr. Mehmet Parlak’ın yazarları arasında bulunduğu “Frequency effect on electrical and dielectric characteristics of HfO2-interlayered Si-based Schottky barrier diode” başlıklı makale Journal of Materials Science: Materials in Electronics’te yayınlandı.